RV2C002UNT2L
LAPIS Semiconductor
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| 型号 | RV2C002UNT2L |
|---|---|
| 制造商 | ROHM |
| 描述 | Mosfet Transistor, N Channel, 180 Ma, 20 V, 1.4 Ohm, 4.5 V, 1 V Rohs Compliant: Yes |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.117 | $0.106 | $0.096 | $0.093 | ||
产品特性
数据表
| VGS(TH)(最大)@标识: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±10V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | DFN1006-3 (VML1006) |
| 系列: | - |
| RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 2 Ohm @ 150mA, 4.5V |
| 功率耗散(最大): | 100mW (Ta) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | SC-101, SOT-883 |
| 其他名称: | RV2C002UNT2LTR |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 10 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 12pF @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 1.2V, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 详细说明: | N-Channel 20V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 (VML1006) |
| 电流 - 25°C连续排水(Id): | 180mA (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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