RUC002N05HZGT116
LAPIS Semiconductor
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| 型号 | RUC002N05HZGT116 |
|---|---|
| 制造商 | LAPIS Semiconductor |
| 描述 | 1.2V DRIVE NCH MOSFET |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.24 | $0.222 | $0.124 | $0.067 | $0.045 | |
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | SST3 |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 功率耗散（最大）: | 350mW (Ta) |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名称: | RUC002N05HZGT116DKR |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 10 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 25pF @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 1.2V, 4.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 50V |
| 详细说明: | N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 200mA (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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