RN4981,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4981,LF(CT
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型号 RN4981,LF(CT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):100mA
电压 - 击穿:US6
Vce饱和(最大)@ IB,IC:50V
系列:-
RoHS状态:Tape & Reel (TR)
电阻 - 发射极基(R 2)(欧姆):4.7k
电阻 - 基(R 1)(欧姆):250MHz, 200MHz
功率 - 最大:200mW
极化:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名称:RN4981(T5L,F,T)
RN4981(T5LFT)TR
RN4981(T5LFT)TR-ND
RN4981LF(CTTR
RN4981T5LFT
噪声系数(dB典型值@频率):4.7k
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商零件编号:RN4981,LF(CT
频率 - 转换:30 @ 10mA, 5V
展开说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:100µA (ICBO)
电流 - 集电极截止(最大):300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极(Ic)(最大):1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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