RN2301,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2301,LF
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型号 RN2301,LF
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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(美元)
3000 pcs6000 pcs15000 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶体管类型:PNP - Pre-Biased
供应商设备封装:USM
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):4.7 kOhms
电阻器 - 基座(R1):4.7 kOhms
功率 - 最大:100mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:SC-70, SOT-323
其他名称:RN2301(TE85L,F)
RN2301(TE85LF)
RN2301(TE85LF)-ND
RN2301(TE85LF)TR
RN2301(TE85LF)TR-ND
RN2301,LF(B
RN2301,LF(T
RN2301LFTR
RN2301TE85LF
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:16 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:200MHz
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:30 @ 10mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大):500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA
基础部件号:RN230*
Email:info@cjjhk.com

介绍

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