RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | RN2111ACT(TPL3) |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.052 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 80mA |
|---|---|
| 电压 - 击穿: | CST3 |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 50V |
| 系列: | - |
| RoHS状态: | Tape & Reel (TR) |
| 电阻 - 发射极基（R 2）（欧姆）: | 10k |
| 电阻 - 基（R 1）（欧姆）: | - |
| 功率 - 最大: | 100mW |
| 极化: | SC-101, SOT-883 |
| 其他名称: | RN2111ACT(TPL3)TR |
| 噪声系数（dB典型值@频率）: | - |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号: | RN2111ACT(TPL3) |
| 频率 - 转换: | 120 @ 1mA, 5V |
| 展开说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| 描述: | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 100nA (ICBO) |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 150mV @ 250µA, 5mA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | PNP - Pre-Biased |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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