RN1316,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF
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型号 RN1316,LF
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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(美元)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶体管类型:NPN - Pre-Biased
供应商设备封装:USM
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):10 kOhms
电阻器 - 基座(R1):4.7 kOhms
功率 - 最大:100mW
封装:Original-Reel®
封装/箱体:SC-70, SOT-323
其他名称:RN1316(TE85LF)DKR
RN1316(TE85LF)DKR-ND
RN1316LFDKR
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:16 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:250MHz
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:50 @ 10mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大):500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA
Email:info@cjjhk.com

介绍

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