RGT80TS65DGC11

LAPIS Semiconductor

RGT80TS65DGC11
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型号 RGT80TS65DGC11
制造商 LAPIS Semiconductor
描述 IGBT 650V 70A 234W TO-247N
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 254 pcs
参考价格
(美元)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
$4.09$3.649$3.284$2.992
250 pcs500 pcs1000 pcs2500 pcs
$2.70$2.423$2.043$1.946
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目标价:(USD)
数量:
合计:
$4.09

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.1V @ 15V, 40A
测试条件:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:34ns/119ns
开关能量:-
供应商设备封装:TO-247N
系列:-
反向恢复时间(trr):58ns
功率 - 最大:234W
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
工作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:15 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:Trench Field Stop
栅极电荷:79nC
详细说明:IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
电流 - 集电极脉冲(ICM):120A
电流 - 集电极(Ic)(最大):70A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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