QSB363ZR
onsemi
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| 型号 | QSB363ZR |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.246 | $0.222 | $0.20 | $0.196 | ||
产品特性
数据表
| 波长: | 940nm |
|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 30V |
| 可视角度: | 24° |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 75mW |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | 2-SMD, Z-Bend |
| 其他名称: | QSB363ZRCT |
| 方向: | Top View |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 制造商标准交货期: | 17 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 详细说明: | Phototransistor 940nm Top View 2-SMD, Z-Bend |
| 电流 - 暗（ID）（最大值）: | 100nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 2mA |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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