PMPB12UN,115
NXP Semiconductors / Freescale
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| 型号 | PMPB12UN,115 |
|---|---|
| 制造商 | NXP Semiconductors / Freescale |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | 6-DFN2020MD (2x2) |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 6-UDFN Exposed Pad |
| 其他名称: | 568-10451-2 934066861115 PMPB12UN,115-ND |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 886pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 1.8V, 4.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | N-Channel 20V 7.9A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 7.9A (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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