PIMD3,115

Nexperia

PIMD3,115
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型号 PIMD3,115
制造商 Nexperia
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:150mV @ 500µA, 10mA
晶体管类型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供应商设备封装:6-TSOP
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):10 kOhms
电阻器 - 基座(R1):10 kOhms
功率 - 最大:600mW
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:SC-74, SOT-457
其他名称:1727-6491-1
568-8469-1
568-8469-1-ND
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:-
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 600mW Surface Mount 6-TSOP
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:30 @ 5mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大):1µA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA
基础部件号:P*MD3
Email:info@cjjhk.com

介绍

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