PEMD48,115

Nexperia

PEMD48,115
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型号 PEMD48,115
制造商 Nexperia
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA
晶体管类型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供应商设备封装:SOT-666
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):47 kOhms
电阻器 - 基座(R1):4.7 kOhms, 22 kOhms
功率 - 最大:300mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:SOT-563, SOT-666
其他名称:1727-1721-2
568-11263-2
568-11263-2-ND
934056708115
PEMD48 T/R
PEMD48 T/R-ND
PEMD48,115-ND
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:13 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:-
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大):1µA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA
基础部件号:P*MD48
Email:info@cjjhk.com

介绍

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