PDTA123JS,126
NXP Semiconductors / Freescale
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| 型号 | PDTA123JS,126 |
|---|---|
| 制造商 | NXP Semiconductors / Freescale |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 晶体管类型: | PNP - Pre-Biased |
| 供应商设备封装: | TO-92-3 |
| 系列: | - |
| 电阻器 - 发射器底座（R2）: | 47 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1）: | 2.2 kOhms |
| 功率 - 最大: | 500mW |
| 封装: | Tape & Box (TB) |
| 封装/箱体: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 其他名称: | 934057560126 PDTA123JS AMO PDTA123JS AMO-ND |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 100 @ 10mA, 5V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 1µA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 100mA |
| 基础部件号: | PDTA123 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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