PBLS2002S,115
NXP Semiconductors / Freescale
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| 型号 | PBLS2002S,115 |
|---|---|
| 制造商 | NXP Semiconductors / Freescale |
| 描述 | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V, 20V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
| 晶体管类型: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| 供应商设备封装: | 8-SO |
| 系列: | - |
| 电阻器 - 发射器底座（R2）: | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1）: | 4.7 kOhms |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名称: | 568-7229-6 |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | 100MHz |
| 详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 1µA, 100nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 100mA, 3A |
| 基础部件号: | PBLS2002 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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