NTMS4P01R2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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型号 NTMS4P01R2
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
无铅状态/ RoHS状态 包含铅/ RoHS不兼容
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.15V @ 250µA
Vgs(最大):±10V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:8-SOIC
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
功率耗散(最大):790mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名称:NTMS4P01R2OS
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1850pF @ 9.6V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:35nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):2.5V, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):12V
详细说明:P-Channel 12V 3.4A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
电流 - 25°C连续排水(Id):3.4A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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