NTLGD3502NT1G

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NTLGD3502NT1G
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型号 NTLGD3502NT1G
制造商 onsemi
描述 NTLGD3502N: Power MOSFET 20V 5.8A 60 mOhm Dual N-Channel DFN6 3x3
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 31125 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2V @ 250µA
供应商设备封装:6-DFN (3x3)
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
功率 - 最大:1.74W
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:6-VDFN Exposed Pad
其他名称:NTLGD3502NT1GOSCT
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:480pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:4nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3)
电流 - 25°C连续排水(Id):4.3A, 3.6A
基础部件号:NTLGD3502N
Email:info@cjjhk.com

介绍

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