NTHD4N02FT1G
onsemi
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| 型号 | NTHD4N02FT1G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.249 | $0.224 | $0.202 | $0.198 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±12V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | ChipFET™ |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 910mW (Tj) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 8-SMD, Flat Lead |
| 其他名称: | NTHD4N02FT1GOS |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 300pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | Schottky Diode (Isolated) |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 2.5V, 4.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | N-Channel 20V 2.9A (Tj) 910mW (Tj) Surface Mount ChipFET™ |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 2.9A (Tj) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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