NSVMUN5132T1G
onsemi
图片只作为参考
更多产品信息请查看规格书
CJJhk.com向所有购买的NSVMUN5132T1G
提供一年质保期
更多产品信息请查看规格书
CJJhk.com向所有购买的NSVMUN5132T1G
提供一年质保期
在线询价
| 型号 | NSVMUN5132T1G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | NSVMUN5132T1G PNP Digital Transistor; 100 mA 50V 4.7 kOhms; Ratio Of 1; 3-Pin SC-70 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.075 | $0.067 | $0.061 | $0.059 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型: | PNP - Pre-Biased |
| 供应商设备封装: | SC-70-3 |
| 系列: | - |
| 电阻器 - 发射器底座（R2）: | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1）: | 4.7 kOhms |
| 功率 - 最大: | 202mW |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | SC-70, SOT-323 |
| 其他名称: | NSVMUN5132T1GOSCT |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 2 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 15 @ 5mA, 10V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 500nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 100mA |
| 基础部件号: | MUN51**T |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
我们可以提供NSVMUN5132T1G，使用请求报价表格请求NSVMUN5132T1G pirce和交货时间。有300万行的可用电子组件项目可以在短时间内发货，超过25万零件的电子组件的库存数量可立即交付，其中可能包括零件号NSVMUN5132T1G。根据数量，NSVMUN5132T1G的价格和交货时间和交货时间必需，可用性和仓库位置。今天和我们的销售代表将为您提供＃NSVMUN5132T1G的价格和交付。我们期待与您合作建立长期合作关系
NSVMUN5132T1G的相似型号
| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 查看 |
|---|---|---|---|---|
 |
NSVMUN5213DW1T3G | onsemi | Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | 在线询价 |
|
NSVMUN5113DW1T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3 | 在线询价 |
|
NSVMUN5211DW1T3G | onsemi | 在线询价 | |
 |
NSVMUN2237T1G | onsemi | 在线询价 | |
|
NSVMUN2112T1G | onsemi | PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | 在线询价 |
|
NSVMUN2233T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 | 在线询价 |
|
NSVMUN5214DW1T3G | onsemi | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon | 在线询价 |
|
NSVMUN5137DW1T1G | onsemi | Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | 在线询价 |