NGTG20N60L2TF1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| 型号 | NGTG20N60L2TF1G |
|---|---|
| 制造商 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 | IGBT 600V 40A 64W TO-3PF |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.96 | $2.504 | $2.134 | $1.753 | $1.452 | |
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 600V |
|---|---|
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC: | 1.65V @ 15V, 20A |
| 测试条件: | 300V, 20A, 30 Ohm, 15V |
| Td（开/关）@ 25°C: | 60ns/193ns |
| 开关能量: | - |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 64W |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-3P-3 Full Pack |
| 其他名称: | NGTG20N60L2TF1GOS |
| 工作温度: | 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 4 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入类型: | Standard |
| IGBT类型: | - |
| 栅极电荷: | 84nC |
| 详细说明: | IGBT 600V 40A 64W Through Hole |
| 电流 - 集电极脉冲（ICM）: | 105A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 40A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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