NGTB45N60S1WG

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NGTB45N60S1WG
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型号 NGTB45N60S1WG
制造商 onsemi
描述 ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 15954 pcs
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(美元)
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.4V @ 15V, 45A
测试条件:400V, 45A, 10 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:72ns/132ns
开关能量:1.25mJ (on), 530µJ (off)
供应商设备封装:TO-247-3
系列:-
反向恢复时间(trr):70ns
功率 - 最大:300W
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
其他名称:NGTB45N60S1WGOS
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:Trench
栅极电荷:125nC
详细说明:IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247-3
电流 - 集电极脉冲(ICM):180A
电流 - 集电极(Ic)(最大):90A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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