NGTB35N60FL2WG

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NGTB35N60FL2WG
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型号 NGTB35N60FL2WG
制造商 onsemi
描述 NGTB35N60FL2WG; IGBT Transistor; 70 A 600 V; 1MHz; 3-Pin TO-247
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 5350 pcs
参考价格
(美元)
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$4.144$3.741$3.374$3.301
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2V @ 15V, 35A
测试条件:400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:72ns/132ns
开关能量:840µJ (on), 280µJ (off)
供应商设备封装:TO-247
系列:-
反向恢复时间(trr):68ns
功率 - 最大:300W
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
其他名称:NGTB35N60FL2WGOS
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:Trench Field Stop
栅极电荷:125nC
详细说明:IGBT Trench Field Stop 600V 70A 300W Through Hole TO-247
电流 - 集电极脉冲(ICM):120A
电流 - 集电极(Ic)(最大):70A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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