NGTB15N120FLWG

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NGTB15N120FLWG
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型号 NGTB15N120FLWG
制造商 onsemi
描述 Igbt Single Transistor, 30 A, 2 V, 156 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 11668 pcs
参考价格
(美元)
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$2.769$2.50$2.254$2.205
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产品特性

数据表

电压 - 偏移量(VT):600V, 15A, 10 Ohm, 15V
电压 - 集电极发射极击穿(最大):30A
电压 - 击穿:TO-247
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:-
Vce饱和(最大)@ IB,IC:1200V
测试条件:72ns/168ns
Td(开/关)@ 25°C:150nC
开关能量:120A
系列:-
RoHS状态:Tube
功率 - 最大:156W
极化:TO-247-3
其他名称:NGTB15N120FLWG-ND
NGTB15N120FLWGOS
工作温度 - 结:166ns
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商零件编号:NGTB15N120FLWG
输入类型:Standard
输入电容(连锁商店)@的Vce:2.2V @ 15V, 15A
栅极电荷:1.17mJ (on), 550µJ (off)
展开说明:IGBT 1200V 30A 156W Through Hole TO-247
描述:IGBT 1200V 15A TO247-3
Email:info@cjjhk.com

介绍

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