MT47R512M4EB-25E:C
Micron Technology
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| 型号 | MT47R512M4EB-25E:C |
|---|---|
| 制造商 | Micron Technology |
| 描述 | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $43.992 | |||||
产品特性
数据表
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
|---|---|
| 电压 - 电源: | 1.55 V ~ 1.9 V |
| 技术: | SDRAM - DDR2 |
| 供应商设备封装: | 60-FBGA (9x11.5) |
| 系列: | - |
| 封装: | Tray |
| 封装/箱体: | 60-TFBGA |
| 工作温度: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存大小: | 2Gb (512M x 4) |
| 内存接口: | Parallel |
| 内存格式: | DRAM |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 详细说明: | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5) |
| 时钟频率: | 400MHz |
| 基础部件号: | MT47R512M4 |
| 访问时间: | 400ps |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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