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MRF8S18120HSR3

NXP Semiconductors / Freescale

MRF8S18120HSR3
图片只作为参考
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型号 MRF8S18120HSR3
制造商 NXP Semiconductors
描述 GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880 MHz, 72 W CW, 28 V
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 223 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$104.398$94.235$84.997$83.149
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目标价：(USD)
数量：
合计：
$104.398

产品特性

数据表

电压 - 测试:28V
电压 - 额定:65V
晶体管类型:LDMOS
供应商设备封装:NI-780S
系列:-
功率输出:72W
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:NI-780S
其他名称:935310108128
MRF8S18120HSR3-ND
MRF8S18120HSR3TR
噪声系数:-
湿度敏感度等级（MSL）:3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
获得:18.2dB
频率:1.81GHz
详细说明:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.81GHz 18.2dB 72W NI-780S
目前评级:-
电流 - 测试:800mA
基础部件号:MRF8S18120
Email:info@cjjhk.com

介绍

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