MRF6S20010GNR1
NXP Semiconductors / Freescale
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| 型号 | MRF6S20010GNR1 |
|---|---|
| 制造商 | NXP Semiconductors |
| 描述 | RF Power Transistor, 1600 to 2200 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 2170 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1731 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $39.505 | $35.659 | $32.163 | $31.464 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 测试: | 28V |
|---|---|
| 电压 - 额定: | 68V |
| 晶体管类型: | LDMOS |
| 供应商设备封装: | TO-270-2 GULL |
| 系列: | - |
| 功率输出: | 10W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | TO-270BA |
| 其他名称: | 935313674528 MRF6S20010GNR1-ND MRF6S20010GNR1TR |
| 噪声系数: | - |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 获得: | 15.5dB |
| 频率: | 2.17GHz |
| 详细说明: | RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2 GULL |
| 目前评级: | - |
| 电流 - 测试: | 130mA |
| 基础部件号: | MRF6S20010 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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