MJE13009G
onsemi
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| 型号 | MJE13009G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | 12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.163 | $1.05 | $0.947 | $0.926 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 400V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 3V @ 3A, 12A |
| 晶体管类型: | NPN |
| 供应商设备封装: | TO-220AB |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 2W |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-220-3 |
| 其他名称: | MJE13009GOS |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | 4MHz |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 4MHz 2W Through Hole TO-220AB |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 8 @ 5A, 5V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | - |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 12A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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