MJD253-1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD253-1G
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型号 MJD253-1G
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 TRANS PNP 100V 4A IPAK
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 825 pcs
参考价格
(美元)
1 pcs75 pcs150 pcs525 pcs1050 pcs
$0.75$0.618$0.505$0.399$0.319
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目标价:(USD)
数量:
合计:
$0.75

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:600mV @ 100mA, 1A
晶体管类型:PNP
供应商设备封装:I-PAK
系列:-
功率 - 最大:1.4W
封装:Tube
封装/箱体:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
其他名称:MJD253-1G-ND
MJD253-1GOS
MJD2531G
工作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:4 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:40MHz
详细说明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Through Hole I-PAK
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:40 @ 200mA, 1V
电流 - 集电极截止(最大):100nA (ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大):4A
基础部件号:MJD253
Email:info@cjjhk.com

介绍

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