MBRT20030R

GeneSiC Semiconductor

MBRT20030R
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型号 MBRT20030R
制造商 GeneSiC Semiconductor
描述 DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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(美元)
25 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 峰值反向(最大):Schottky
电压 - (Vr)(最大):1 Pair Common Anode
电压 - 击穿:Three Tower
速度:200A (DC)
系列:-
RoHS状态:Bulk
反向恢复时间(trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
极化:Three Tower
其他名称:MBRT20030RGN
安装类型:Chassis Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:4 Weeks
制造商零件编号:MBRT20030R
展开说明:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
二极管配置:1mA @ 20V
描述:DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
电流 - Vr时反向漏电:750mV @ 100A
电流 - 平均整流(Io)(每二极管):30V
Email:info@cjjhk.com

介绍

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