JS28F512M29EBHB TR

Micron Technology

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型号 JS28F512M29EBHB TR
制造商 Micron Technology
描述 IC FLASH 512M PARALLEL
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

写周期时间 - 字,页:110ns
电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
技术:FLASH - NOR
系列:-
封装:Tape & Reel (TR)
其他名称:JS28F512M29EBHB TR-ND
JS28F512M29EBHBTR
工作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
内存类型:Non-Volatile
内存大小:512Mb (64M x 8, 32M x 16)
内存接口:Parallel
内存格式:FLASH
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
详细说明:FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 110ns
访问时间:110ns
Email:info@cjjhk.com

介绍

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