IXYP10N65C3D1M

IXYS Corporation

IXYP10N65C3D1M
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型号 IXYP10N65C3D1M
制造商 IXYS Corporation
描述 IGBT
无铅状态/ RoHS状态
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.6V @ 15V, 10A
测试条件:400V, 10A, 50 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:20ns/77ns
开关能量:240µJ (on), 170µJ (off)
供应商设备封装:TO-220 Isolated Tab
系列:XPT™, GenX3™
反向恢复时间(trr):26ns
功率 - 最大:53W
封装/箱体:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
制造商标准交货期:24 Weeks
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:18nC
详细说明:IGBT 650V 15A 53W Through Hole TO-220 Isolated Tab
电流 - 集电极脉冲(ICM):50A
电流 - 集电极(Ic)(最大):15A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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