IXYA20N65C3D1

IXYS Corporation

IXYA20N65C3D1
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型号 IXYA20N65C3D1
制造商 IXYS Corporation
描述 IGBT
无铅状态/ RoHS状态
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.5V @ 15V, 20A
测试条件:400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:19ns/80ns
开关能量:430µJ (on), 650µJ (off)
供应商设备封装:TO-263AA
系列:XPT™, GenX3™
反向恢复时间(trr):34ns
功率 - 最大:200W
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
制造商标准交货期:24 Weeks
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:30nC
详细说明:IGBT 650V 50A 200W Surface Mount TO-263AA
电流 - 集电极脉冲(ICM):105A
电流 - 集电极(Ic)(最大):50A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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