IXXN200N65A4

IXYS Corporation

IXXN200N65A4
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型号 IXXN200N65A4
制造商 IXYS Corporation
描述 IGBT
无铅状态/ RoHS状态
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:1.8V @ 15V, 200A
测试条件:400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:140ns/1.04µs
开关能量:8.8mJ (on), 6.7mJ (off)
供应商设备封装:SOT-227B
系列:XPT™, GenX4™
反向恢复时间(trr):160ns
功率 - 最大:1250W
封装/箱体:SOT-227-4, miniBLOC
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
制造商标准交货期:24 Weeks
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:736nC
详细说明:IGBT 650V 440A 1250W Chassis Mount SOT-227B
电流 - 集电极脉冲(ICM):1200A
电流 - 集电极(Ic)(最大):440A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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