IXTH13N110

IXYS Corporation

IXTH13N110
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型号 IXTH13N110
制造商 IXYS
描述 Trans MOSFET N-CH 1.1KV 13A 3-Pin (3+Tab) TO-247AD
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 262 pcs
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-247 (IXTH)
系列:MegaMOS™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:920 mOhm @ 500mA, 10V
功率耗散(最大):360W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:5650pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:195nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):1100V
详细说明:N-Channel 1100V 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
电流 - 25°C连续排水(Id):13A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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