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IXFT140N10P

IXYS Corporation

IXFT140N10P
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型号 IXFT140N10P
制造商 IXYS
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 V
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 8187 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$7.783$7.025$6.336$6.199
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目标价：(USD)
数量：
合计：
$7.783

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:5V @ 4mA
Vgs（最大）:±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-268
系列:HiPerFET™, PolarHT™
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:11 mOhm @ 70A, 10V
功率耗散（最大）:600W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
制造商标准交货期:24 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:4700pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:155nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:10V
漏极至源极电压（Vdss）:100V
详细说明:N-Channel 100V 140A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
电流 - 25°C连续排水（Id）:140A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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