IXFR32N100P

IXYS Corporation

IXFR32N100P
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型号 IXFR32N100P
制造商 IXYS Corporation
描述 MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:6.5V @ 1mA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:ISOPLUS247™
系列:HiPerFET™, PolarP2™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:340 mOhm @ 16A, 10V
功率耗散(最大):320W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:ISOPLUS247™
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:26 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:14200pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:225nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):1000V
详细说明:N-Channel 1000V 18A (Tc) 320W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
电流 - 25°C连续排水(Id):18A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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