IXFN70N120SK
IXYS Corporation
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产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 4V @ 15mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | +20V, -5V |
| 技术: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 供应商设备封装: | SOT-227B |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 34 mOhm @ 50A, 20V |
| 功率耗散（最大）: | - |
| 封装/箱体: | SOT-227-4, miniBLOC |
| 工作温度: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 制造商标准交货期: | 32 Weeks |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 2790pF @ 1000V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 161nC @ 20V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 20V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 1200V |
| 详细说明: | N-Channel 1200V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 68A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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