IXFN200N10P

IXYS Corporation

IXFN200N10P
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型号 IXFN200N10P
制造商 IXYS
描述 Single N-Channel 100 V 680 W 235 nC Chassis Mount Power Mosfet SOT227B
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 321 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$26.261$23.705$21.381$20.916
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目标价:(USD)
数量:
合计:
$26.261

产品特性

数据表

电压 - 测试:7600pF @ 25V
电压 - 击穿:SOT-227B
VGS(TH)(最大)@标识:7.5 mOhm @ 500mA, 10V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
系列:Polar™
RoHS状态:Tube
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:200A
极化:SOT-227-4, miniBLOC
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:8 Weeks
制造商零件编号:IXFN200N10P
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:235nC @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:5V @ 8mA
FET特点:N-Channel
展开说明:N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
漏极至源极电压(Vdss):-
描述:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
电流 - 25°C连续排水(Id):100V
电容比:680W (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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