IXFE34N100

IXYS Corporation

IXFE34N100
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型号 IXFE34N100
制造商 IXYS Corporation
描述 MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:5.5V @ 8mA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:SOT-227B
系列:HiPerFET™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:280 mOhm @ 17A, 10V
功率耗散(最大):580W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:SOT-227-4, miniBLOC
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:15000pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:455nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):1000V
详细说明:N-Channel 1000V 30A (Tc) 580W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
电流 - 25°C连续排水(Id):30A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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