IXA45IF1200HB

IXYS Corporation

IXA45IF1200HB
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型号 IXA45IF1200HB
制造商 IXYS
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXA45IF1200HB IGBT Single Transistor, 78 A, 2.1 V, 325 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 2828 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$8.765$7.912$7.136$6.981
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.1V @ 15V, 35A
测试条件:600V, 35A, 27 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:-
开关能量:3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
供应商设备封装:TO-247AD (HB)
系列:-
反向恢复时间(trr):350ns
功率 - 最大:325W
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:32 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:PT
栅极电荷:106nC
详细说明:IGBT PT 1200V 78A 325W Through Hole TO-247AD (HB)
电流 - 集电极(Ic)(最大):78A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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