IS61QDB42M18A-333M3I

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型号 IS61QDB42M18A-333M3I
制造商 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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105 pcs
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产品特性

数据表

写周期时间 - 字,页:-
电压 - 电源:1.71 V ~ 1.89 V
技术:SRAM - Synchronous, QUAD
供应商设备封装:165-LFBGA (15x17)
系列:-
封装:Tray
封装/箱体:165-LBGA
工作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):3 (168 Hours)
内存类型:Volatile
内存大小:36Mb (2M x 18)
内存接口:Parallel
内存格式:SRAM
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
详细说明:SRAM - Synchronous, QUAD Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 333MHz 8.4ns 165-LFBGA (15x17)
时钟频率:333MHz
访问时间:8.4ns
Email:info@cjjhk.com

介绍

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