IS61NLP51236-200B3
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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| 型号 | IS61NLP51236-200B3 |
|---|---|
| 制造商 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| 描述 | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| 写周期时间 - 字，页: | - |
|---|---|
| 电压 - 电源: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 技术: | SRAM - Synchronous |
| 供应商设备封装: | 165-TFBGA (13x15) |
| 系列: | - |
| 封装: | Tray |
| 封装/箱体: | 165-TFBGA |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 2 (1 Year) |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存大小: | 18Mb (512K x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 内存格式: | SRAM |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 详细说明: | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
| 时钟频率: | 200MHz |
| 访问时间: | 3.1ns |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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