IS43DR16640B-3DBL-TR

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型号 IS43DR16640B-3DBL-TR
制造商 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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(美元)
2500 pcs
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产品特性

数据表

写周期时间 - 字,页:15ns
电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V
技术:SDRAM - DDR2
供应商设备封装:84-TWBGA (8x12.5)
系列:-
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:84-TFBGA
工作温度:0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):3 (168 Hours)
内存类型:Volatile
内存大小:1Gb (64M x 16)
内存接口:Parallel
内存格式:DRAM
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
详细说明:SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA (8x12.5)
时钟频率:333MHz
访问时间:450ps
Email:info@cjjhk.com

介绍

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