IRLML2060TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML2060TRPBF
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型号 IRLML2060TRPBF
制造商 Infineon
描述 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 0.1ohm; 30W; -55+175 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 55375 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 25µA
Vgs(最大):±16V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:Micro3™/SOT-23
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:480 mOhm @ 1.2A, 10V
功率耗散(最大):1.25W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:IRLML2060TRPBFTR
SP001578644
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:64pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:0.67nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
详细说明:N-Channel 60V 1.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
电流 - 25°C连续排水(Id):1.2A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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