IRLHS6342TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLHS6342TRPBF
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型号 IRLHS6342TRPBF
制造商 Infineon
描述 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package, PG-TSDSON-6, RoHS
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 33298 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.1V @ 10µA
Vgs(最大):±12V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:6-PQFN (2x2)
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
功率耗散(最大):2.1W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:6-PowerVDFN
其他名称:IRLHS6342TRPBF-ND
IRLHS6342TRPBFTR
SP001573840
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1019pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:11nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):2.5V, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
电流 - 25°C连续排水(Id):8.7A (Ta), 19A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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