IRFR18N15D
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| 型号 | IRFR18N15D |
|---|---|
| 制造商 | Infineon |
| 描述 | IRFR18N15DPBF N-channel MOSFET Transistor; 18 A; 150 V; 3-Pin DPAK |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.633 | $0.571 | $0.515 | $0.504 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | D-Pak |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 125 mOhm @ 11A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 110W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 其他名称: | *IRFR18N15D SP001571432 |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 900pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 43nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 150V |
| 详细说明: | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 18A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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