IRFI4110GPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFI4110GPBF
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型号 IRFI4110GPBF
制造商 Infineon
描述 N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 72A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; C
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 12804 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$2.839$2.563$2.312$2.261
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-220AB Full-Pak
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:4.5 mOhm @ 43A, 10V
功率耗散(最大):61W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3 Full Pack
其他名称:SP001556598
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:9540pF @ 50V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:290nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
详细说明:N-Channel 100V 72A (Tc) 61W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
电流 - 25°C连续排水(Id):72A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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