IRFI1010NPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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型号	IRFI1010NPBF
制造商	Infineon
描述	MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.012Ohm; ID 49A; TO-220 Full-Pak; PD 58W; -55de
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

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参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.624	$0.564	$0.508	$0.497

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	TO-220AB Full-Pak
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	12 mOhm @ 26A, 10V
功率耗散（最大）:	58W (Tc)
封装:	Tube
封装/箱体:	TO-220-3 Full Pack
其他名称:	*IRFI1010NPBF SP001570872
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	2900pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	130nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	10V
漏极至源极电压（Vdss）:	55V
详细说明:	N-Channel 55V 49A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
电流 - 25°C连续排水（Id）:	49A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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