IRFHM8363TRPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| 型号 | IRFHM8363TRPBF |
|---|---|
| 制造商 | Infineon |
| 描述 | 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3.3mm x3.3mm Lead Free package |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.681 | $0.615 | $0.555 | $0.543 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
| 功率 - 最大: | 2.7W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 8-PowerVDFN |
| 其他名称: | SP001565948 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1165pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 15nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 11A |
| 基础部件号: | IRFHM8363PBF |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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