IRFHM831TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM831TRPBF
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型号 IRFHM831TRPBF
制造商 Infineon
描述 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 33427 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.35V @ 25µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PQFN (3x3)
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:7.8 mOhm @ 12A, 10V
功率耗散(最大):2.5W (Ta), 27W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:8-PowerTDFN
其他名称:IRFHM831TRPBFCT
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1050pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:16nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 14A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
电流 - 25°C连续排水(Id):14A (Ta), 40A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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