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IRF8513PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF8513PBF
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型号 IRF8513PBF
制造商 Infineon
描述 Dual N-Channel 30 V 15.5 mOhm 5.7 nC HEXFET? Power Mosfet SOIC-8
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 30683 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.342$0.309$0.278$0.272
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目标价：(USD)
数量：
合计：
$0.342

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:2.35V @ 25µA
供应商设备封装:8-SO
系列:-
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:15.5 mOhm @ 8A, 10V
功率 - 最大:1.5W, 2.4W
封装:Tube
封装/箱体:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名称:SP001555762
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:766pF @ 15V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:8.6nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss）:30V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 11A 1.5W, 2.4W Surface Mount 8-SO
电流 - 25°C连续排水（Id）:8A, 11A
基础部件号:IRF8513PBF
Email:info@cjjhk.com

介绍

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