IRF7606TR

International Rectifier (Infineon Technologies)

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型号	IRF7606TR
制造商	Infineon
描述	Mosfet, Power; P-ch; Vdss -30V; Rds(on) 0.075 Ohm; Id -3.6A; MICRO8; Pd 1.8W; Vgs +/-20V
无铅状态/ RoHS状态	包含铅/ RoHS不兼容

~~有现货~~ 44257 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.441	$0.398	$0.359	$0.351

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	1V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	Micro8™
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	90 mOhm @ 2.4A, 10V
功率耗散（最大）:	1.8W (Ta)
封装:	Original-Reel®
封装/箱体:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
其他名称:	IRF7606DKR
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	520pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	30nC @ 10V
FET型:	P-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	4.5V, 10V
漏极至源极电压（Vdss）:	30V
详细说明:	P-Channel 30V 3.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
电流 - 25°C连续排水（Id）:	3.6A (Ta)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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